首页 - 理财 - 黄金TD - 现货金 - 牌价 - 基金数据 - 宏观研究 - 商业观察 - 商业 - 现货银 - 风向标
[设为首页] [加入收藏]
当前位置: 当前位置：首页 > 财富观察 > 宏微科技：1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证，部分产品已形成小批量出货 正文

宏微科技：1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证，部分产品已形成小批量出货

2025-05-15 03:13:40 来源：赛我网 作者：市场数据 点击:764次
作者:现货银
------分隔线----------------------------
头条新闻
图片新闻
新闻排行榜
友情链接
本站部分资料来源于互联网转载和网友发布,如侵犯您的权益,请联系我站客服,我们将尽快处理,谢谢合作!
Copyright © 2016 Powered by 宏微科技：1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证，部分产品已形成小批量出货,赛我网   sitemap